Rambler's Top100




Название материала:

  • Физика Ч. 2

Аннотация:

  • Настоящее издание представляет собой вторую часть практикума, предназначенного для студентов следующих специальностей: 013100-ЭК, 060800-ЭУ, 071900-ИТ, 201500-БР, 210305-РБ, 230100-СТ, 280800-ТШ, 280900-КШ, 351100-ТВ, 220200-ВМ, 010503-МИ очной и заочной форм обучения. Цель практикума – на большом количестве разобранных примеров научить студентов решать задачи по физике самостоятельно. Практикум содержит два основных раздела – электричество и магнетизм, полностью соответствующих программе курса физики для вузов. Каждый раздел состоит из нескольких частей в соответствии с традиционным изложением курса в наиболее популярных учебниках по физике. Структура каждой части включает в себя краткие

Дисциплины:

  • Физика
  • Физика модуль 2

Части курса:

  • практическая часть

Тип материала:

  • практикум


24
1. 2. Проводники и диэлектрики в электрическом поле
Справочные сведения
Электрическое поле в диэлектрике создается не только свободными,
но и связанными зарядами. В соответствии с этим теорема Гаусса для
вектора напряженности Е примет вид (в СИ):
QQSdE
, (2..1.1)
где Q сумма свободных зарядов; где Q сумма связанных
зарядов, охваченных поверхностью интегрирования.
Учитывая, что
Q = -
SdP
,
где
P
вектор поляризации, выражение (2.2.1) можно привести к
виду
S
SdPE
0
= Q. (2.1.2)
Введя обозначение
0
E
+
P
=
D
, получим так называемую
обобщенную теорему Гаусса:
D
d
S
= Q. (2.1.3)
Здесь
вектор электрического смещения, он является
дополнительной характеристикой электрического поля в диэлектрике.
Вектор поляризации
P
прямо пропорционален вектору напряженности
E
действующего в диэлектрике поля:
P
= a
0
E
, (2.1.4)
где a электрическая восприимчивость. Это безразмерный
коэффициент, постоянный для каждого вещества.
Выражение для вектора электрического смещения можно привести
к виду
=
0
E
(1+a) =
0
E
;
Здесь = 1+a обозначает относительную диэлектрическую
проницаемость среды.
Если в электрическое поле плоского конденсатора, созданное
зарядами, плотность которых на пластинах конденсатора σ, поместить
плоскую пластину из диэлектрика с относительной диэлектрической
проницаемостью ε, то плотность связанных зарядов на поверхностях
пластины диэлектрика будет определяться выражением: